آموزش تئوری و فناوری ساخت ادوات نیمه‌هادی درس دهم: فرایند ساخت ترانزیستور MOS

۱۳


۰

برای کسب اطلاعات بیشتر، به این لینک مراجعه نمایید: https://fdrs.ir/9g5v/ هدف از این آموزش، آشنایی فراگیران با مقدمه ای بر ساخت ادوات نیمه‌هادی است. در این آموزش سعی شده است تمامی مفاهیم به صورت کامل آموزش داده شوند و لذا پس از گذراندن این آموزش، دانشجویان و دانش پژوهان به صورت کامل با فرایندهای ساخت ادوات نیمه‌هادی آشنا می شوند. درس تئوری و فناوری ساخت ادوات نیمه‌هادی یکی از دروس اصلی در کارشناسی ارشد و دکتری برای رشته‌های الکترونیک، فیزیک و… است. در همین راستا در این آموزش سعی شده است تمامی فرآیندهای ساخت ادوات نیمه‌هادی اعم از: لایه نشانی، اکسیداسیون، فوتولیتوگرافی، زدایش، نفوذ و کاشت یون به صورت کامل آموزش داده شود. در این آموزش در درس آخر با توجه به آموزه‌های درس‌های قبلی، فرایند ساخت ترانزیستور MOS کامل شرح داده می شود. سرفصل‌های مورد بحث در این فیلم آموزشی عبارت‌اند از: درس یکم: کاربرد فناوری ساخت در ابعاد میکرو و نانو مقدمه کاربرد ساخت ادوات در ابعاد میکرو و نانو صنعت نیمه‌هادی (قانون مور) درآمد حاصل از صنعت نیمه‌هادی اولین مدارات مجتمع روند ساخت مدارات مجتمع مدارات مجتمع بر پایه پیوند رشد یافته و آلیاژی مدارات مجتمع بر پایه فرایند دو بار نفوذ مدارات مجتمع بر پایه فرایند سطحی نیمه‌هادی‌ها خواص سیلیسیم ذاتی کاربرد نفوذ ناخالصی در سیلیسیم مدل‌های تشریح خواص نیمه‌هادی مدل نواری سیلیسیم نوع N و P ادوات الکترونیکی دیود PN ترانزیستور BJT ترانزیستور MOS فناوری CMOS درس دوم: مقدمه ای بر فناوری سیلیسیم بلور سلول واحد محاسبه ضرایب صفحات بلور (اندیس میلر) ساختار شبکه سیلیسیم نقص در بلور سیلیسیم رشد بلور سیلیسیم بسترهای سیلیسیمی الزامات برای ساخت ادوات الکترونیکی اتاق تمیز تمیز کردن سطح قرص جذب آلودگی درس سوم: لایه نشانی لایه نشانی پوشش پله ای پر کردن کانال یا سوراخ روش‌های لایه نشانی لایه نشانی بخار شیمیایی (CVD) لایه نشانی به روش APCVD لایه نشانی به روش LPCVD لایه نشانی به روش PECVD لایه نشانی به روش HDPCVD لایه نشانی بخار فیزیکی (PVD) لایه نشانی به روش تبخیر لایه نشانی پراکنشی (Sputtering) لایه نشانی پراکنشی DC لایه نشانی پراکنشی واکنشی (co-sputter) لایه نشانی پراکنشی RF روش‌های دیگر لایه نشانی در سامانه پراکنشی لایه نشانی مواد مختلف لایه نشانی سیلیسیم تک بلور لایه نشانی پلی سیلیسیم لایه نشانی نیترید سیلیسیم لایه نشانی اکسید سیلیسیم لایه نشانی آلومینیوم لایه نشانی تیتانیوم لایه نشانی تنگستن لایه نشانی مس روش‌های اندازه گیری روش اندازه گیری بیضی سنجی (Ellipsometry) روش اندازه گیری ترازوی ظریف بلور کوارتز (QCM) درس چهارم: اکسیداسیون اکسیداسیون کاربردهای لایه اکسید سیلیسیم (SiO) خصوصیات لایه اکسید سیلیسیم حجم سیلیسیم مصرف شده در فرایند اکسیداسیون نقص‌های الکتریکی در فصل مشترک Si/SiO انواع فرایند اکسیداسیون سامانه اکسیداسیون مدل اکسیداسیون (خطی – سهموی) خلاصه معادلات اکسیداسیون مثال برای اکسیداسیون محدودیت‌های مدل خطی – سهموی پارامترهای موثر بر اکسیداسیون روش‌های مشخصه یابی اکسید اندازه گیری‌های فیزیکی اندازه گیری‌های نوری اندازه گیری‌های الکتریکی درس پنجم: فوتولیتوگرافی فوتولیتوگرافی مراحل فرایند فوتولیتوگرافی قسمت‌های مختلف فرایند فوتولیتوگرافی منابع نوری سامانه‌های نوردهی سامانه نوردهی تماسی سامانه نوردهی مجاورتی سامانه نوردهی تصویری اثرات پراش سامانه‌های تصویری (پراش فرانهوفر) قدرت تفکیک (رزولوشن) عمق وضوح مثال برای قدرت تفکیک و عمق وضوح تابع تبدیل مدولاسیون (MTF) سامانه‌های تماسی و مجاورتی (پراش فرنل) محافظ حساس به نور (فوتورزیست) پارامترهای ماده حساس به نور محافظ حساس به نور خط g و (i (DNQ محافظ حساس به نور ماورای بنفش (DUV) خواص و ویژگی‌های محافظ حساس به نور مهندسی نقاب مهندسی نقاب با تصحیح اثر شعاع‌های نور نزدیک به هم مهندسی نقاب با انتقال فاز روش‌های ساخت سامانه‌های نوردهی نقش نگاری پرتوی الکترونی نقش نگاری پرتو X درس ششم: زدایش زدایش زدایش همسانگرد و زدایش غیر همسانگرد زدایش تر مثال برای زدایش تر بایاس زدایش و بیش زدایش مثال برای بیش زدایش و بایاس زدایش درجه زدایش همسانگرد مثال برای درجه زدایش همسانگرد زدایش تر مواد مختلف زدایش وابسته به جهت بلوری زدایش خشک فرایند زدایش شیمیایی در زدایش پلاسما فرایند زدایش فیزیکی در زدایش پلاسما زدایش تقویت شده با یون انواع سامانه‌های زدایش خشک (پلاسما) زدایش پلاسما در زدایش گرهای بشکه ای زدایش پلاسما در سامانه‌های با صفحات موازی زدایش در سامانه‌های پلاسمای بسیار چگال زدایش پراکنشی و کنگره زنی مقایسه روش‌های مختلف زدایش زدایش خشک مواد مختلف روش‌های اندازه گیری درس هفتم: نفوذ نفوذ حد حلالیت آلاینده در جامد حد حلالیت الکتریکی در جامد بررسی فرایند نفوذ پاسخ گوسی در محیط بی نهایت پاسخ گوسی نزدیک به سطح پاسخ تابع خطا در محیط بی نهایت پاسخ تابع خطا در نزدیکی سطح تفاوت تابع خطا و پاسخ گوسی ضریب نفوذ ذاتی آلاینده در سیلیسیم آلاینده با نفوذ سریع و کند نفوذ پیاپی مثال اول برای نفوذ مثال دوم برای نفوذ سامانه نفوذ چرخه حرارتی سریع (RTA) تفاوت کوره با چرخه حرارتی سریع روش‌های اندازه گیری طیف سنجی جرم یونی ثانویه (SIMS) مقاومت پخش شدگی مقاومت صفحه ای برش مقطعی TEM سنجش الکتریکی دوبعدی با استفاده از میکروسکوپ پروب روبشی اندازه گیری الکتریکی معکوس درس هشتم: کاشت یون کاشت یون تفاوت کاشت یون و نفوذ مزایا و معایب کاشت یون فرایند کاشت یون مثال برای کاشت یون سامانه کاشت یون اتلاف انرژی یون توقف هسته ای توقف الکترونی ایجاد نقص ترمیم حرارتی نقص رشد هم بافته فاز جامد درس نهم: فناوری پسین فناوری پسین تاثیر خطوط ارتباطی بر عملکرد تراشه اتصالات آلومینیومی رشد تپه گونه کوچ الکتریکی اتصال اهمی و شاتکی مفید برای رشته‌های مهندسی برق – الکترونیک فیزیک مدرس: مهندس امیرحسین مهرفر

Published by: FaraDars — فرادرس
Published at: ۱ week ago
Category: آموزشی