آموزش فیزیک الکترونیک - بخش دوم درس یازدهم: قطعات سوییچ کننده PNPN (ادوات قدرت)

برای کسب اطلاعات بیشتر، به این لینک مراجعه نمایید: https://fdrs.ir/kx3w/ در این فرادرس سعی شده است که با استفاده از مفاهیم ارائه شده در فیزیک الکترونیک مقدماتی، نحوه عملکرد دیوایس‌های الکترونیکی و نحوه ساخت آن‌ها مورد بررسی قرار بگیرد. در این درس نیز مانند درس فیزیک الکترونیک مقدماتی، رویکردی مفهومی در نظر گرفته شده است تا دانشجو بتواند ضمن درک فیزیک حاکم بر دیوایس، معادلات را استخراج نماید. فراگیری این درس مهارت دانشجویان در طراحی مدارات و سیستم‌های الکترونیکی و مخابراتی را تا حد قابل ملاحظه ای بالا می برد، چرا که به صورت کامل بر عملکرد این سیستم‌ها احاطه پیدا می کنند. امروزه علم الکترونیک را می توان در ترانزیستورها و پیوندهای PN خلاصه کرد. سرفصل‌های مورد بحث در این فیلم آموزشی عبارت‌اند از: درس یکم: دیودهای پیوندی PN – بخش یکم دیودهای پیوندی یک سوسازها دیودهای سوییچ کننده دیود شکستی دیود با ظرفیت متغیر، ورکتور (Varactor) دیودهای تونلی نیمه رسانا‌های تبهگن، Degenerate عملکرد دیود تونلی کاربردهای مداری دیودهای نوری درس دوم: دیودهای پیوندی PN – بخش دوم جریان و ولتاژ در یک پیوند نور تابیده سلول‌های خورشیدی آشکارسازهای نوری نویز و پهنای باند آشکارسازهای نوری دیودهای نورافشان و لیزرها مواد نورافشان مخابرات نوری پیوندهای ناهمگون چندلایه برای دیودهای نورافشان تقویت و سوییچ کردن (مدل‌های کارکرد BJT) خط بار تقویت سوییچ کردن درس سوم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی – بخش یکم مبانی عملکردی ترانزیستور پیوندی دوقطبی (BJT) انتقال بار در یک BJT تقویت با BJT ساخت BJT توزیع بارهای اقلیت و جریان پایه‌های ترانزیستور حل معادله نفوذ در منطقه بیس (Base) درس چهارم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی – بخش دوم محاسبه جریان پایه‌های ترانزیستور تقریب جریان پایه‌های ترانزیستور نسبت انتقال جریان گرایش در حالت کلی (مدار معادل) مدل دیود جفت شده تحلیل کنترل بار درس پنجم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی – بخش سوم کلید زنی – سوییچ کردن قطع اشباع چرخه قطع و وصل حالت گذرای وصل حالت گذرای قطع دیود شاتکی کران بند مشخصات ترانزیستورهای سوییچ کننده آثار ثانویه (اثرات غیرایده آل) رانش در ناحیه بیس باریک شدن بیس شکست بهمنی سطح تزریق، آثار گرمایی مقاومت بیس و تجمع در امیتر (Emitter) درس ششم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی – بخش چهارم محدودیت‌های فرکانسی ترانزیستورها ظرفیت و زمان‌های شارژ اثر زمان گذر ترانزیستورهای فرکانس بالا ترانزیستورهای دوقطبی با پیوند ناهمگون درس هفتم: ترانزیستورهای اثر میدانی – بخش یکم ترانزیستورهای اثر میدانی پیوندی (خانواده‌های FET) تنگش و اشباع کنترل گیت مشخصه جریان ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی فلز نیمه رسانا ترانزیستورهای اثر میدانی فلز نیمه رسانای گالیم آرسناید (Gallium Arsenide) ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد (HEMT) درس هشتم: ترانزیستورهای اثر میدانی – بخش دوم آثار کانال کوتاه ترانزیستورهای اثر میدانی فلز – عایق – نیمه رسانا اصول عملکرد درس نهم: ترانزیستورهای اثر میدانی – بخش سوم خازن فلز – عایق – نیمه رسانای ایده آل (خازن فلز اکسید نیمه‌هادی) آثار سطوح واقعی ولتاژ آستانه ترانزیستورهای اثر میدانی فلز – عایق – نیمه رسانا (MOSFET) درس دهم: ترانزیستورهای اثر میدانی – بخش چهارم کنترل ولتاژ آستانه اثر گرایش بستر آثار ظرفیتی و ترانزیستورهای خود هم راستا آثار کانال کوتاه مکانیزم‌های سوییچ کردن (دیود چهار لایه) درس یازدهم: قطعات سوییچ کننده PNPN (ادوات قدرت) دیود PNPN قیاس دوترانزیستوری مدار تغییر آلفا با تزریق حالت سدکنندگی مستقیم حالت هدایت کنندگی مکانیزم‌های راه اندازی یک سوساز نیمه‌هادی کنترل شونده (SCR) کنترل گیت خاموش کردن SCR قطعات دوطرفه ساخت و کاربردها تریاک (Triac) ترانزیستور دوطبی با گیت ایزوله (IGBT) مفید برای رشته‌های مهندسی برق مدرس: مهندس سجاد وردست